M29W128GH60ZA1E和M29W128GL60ZA6E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W128GH60ZA1E M29W128GL60ZA6E M29W128GL60ZA6F

描述 Flash, 8KX16, 60ns, PBGA64, 10 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64Flash, 8KX16, 60ns, PBGA64, 10 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64Flash, 8KX16, 60ns, PBGA64, 10 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 TBGA TBGA-64 TBGA

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V -

封装 TBGA TBGA-64 TBGA

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司