对比图
型号 IRFR210BTF_FP001 IRFR210BTM_FP001 IRFR210
描述 MOSFET 200V N-Ch B-FETTrans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RPower Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 TO-252 TO-252-3 -
漏源极电阻 1.50 Ω 1.50 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 2.50 W 2.5 W -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
漏源击穿电压 200 V 200 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 2.70 A 2.70 A -
输入电容(Ciss) - 225pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 26W (Tc) -
封装 TO-252 TO-252-3 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -