对比图
型号 STP20NM50 STW20NM50FD FDP20N50
描述 STMICROELECTRONICS STP20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP20N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.25 Ω 230 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 192 W 214 W 250 W
阈值电压 4 V 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 20.0 A
上升时间 16 ns 20 ns 375 ns
输入电容(Ciss) 1480pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 3120pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 192 W 214 W 250 W
下降时间 8.5 ns 15 ns 105 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 192W (Tc) 214W (Tc) 250W (Tc)
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 20.0 A 20.0 A -
长度 - 15.75 mm 10.1 mm
宽度 - 5.15 mm 4.7 mm
高度 - 20.15 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - NLR -