对比图
描述 同步降压 NexFETTM 电源块，CSD87381PPower MOSFET Modules, Texas Instruments半桥 NexFET 电源块 ### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
数据手册 --
分类 FET驱动器MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 5
封装 PTAB-5 LGA-5
耗散功率 4 W 4 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 564pF @15V(Vds) 564pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 4 W 4 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 4000 mW 4000 mW
输出接口数 - 1
通道数 - 2
漏源极电阻 - 0.0136 Ω
极性 - Dual N-Channel
阈值电压 - 1.9 V
输入电压(Max) - 24 V
输出电压(Max) - 1.3 V
输出电流(Max) - 15 A
封装 PTAB-5 LGA-5
长度 - 3.1 mm
宽度 - 2.5 mm
高度 - 0.48 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 -