FQU5N60C和SSU4N60B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU5N60C SSU4N60B SSU4N60BTU

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 IPAK IPAK TO-251-3

安装方式 Through Hole Through Hole -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - - 2.5 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 2.8A 2.8A 2.8A

上升时间 - - 55 ns

下降时间 - - 55 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 - - 6.8 mm

宽度 - - 2.5 mm

高度 - - 6.3 mm

封装 IPAK IPAK TO-251-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

ECCN代码 - - EAR99

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