对比图
型号 IRGPS60B120KD IRGPS60B120KDP
描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINFINEON IRGPS60B120KDP 单晶体管, IGBT, 105 A, 2.75 V, 595 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
安装方式 - Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-274 TO-274
额定功率 - 595 W
针脚数 - 3
耗散功率 - 595 W
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V
反向恢复时间 - 180 ns
额定功率(Max) - 595 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 595000 mW 595 W
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
极性 - -
产品系列 - -
上升时间 - -
长度 - 16.1 mm
宽度 - 5.5 mm
高度 - 20.8 mm
封装 TO-274 TO-274
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - -
ECCN代码 - EAR99