DB106G和DBL106G

对比图

型号 DB106G DBL106G DB106-G

描述 GENESIC SEMICONDUCTOR DB106G Bridge Rectifier Diode, Single, 800V, 1A, DIP, 1.1V, 4Pins1A, 800V, Standard Bridge RectifierBridge Rectifier Diode, 1A, 800V V(RRM)

数据手册 ---

制造商 GeneSiC Semiconductor Taiwan Semiconductor (台湾半导体) RFE International

分类 二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 EDIP-4 DBL -

引脚数 4 - -

封装 EDIP-4 DBL -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

正向电压 1.1V @1A - -

正向电流 1 A - -

最大正向浪涌电流（Ifsm） 30 A - -

正向电压(Max) 1.1 V - -

正向电流(Max) 1 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -