对比图
描述 Trans RF BJT NPN 2.6A 4Pin Case M-115射频与微波晶体管航空电子应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount - -
引脚数 4 - -
封装 M-115 - -
击穿电压(集电极-发射极) 65 V - -
增益 9 dB - -
额定功率(Max) 87.5 W - -
工作温度(Max) 200 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 87500 mW - -
封装 M-115 - -
工作温度 200℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Bulk - -
RoHS标准 Non-Compliant - -
含铅标准 Lead Free - -
ECCN代码 EAR99 - -