MS2341和SD1530-01

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MS2341 SD1530-01 AVD035P

描述 Trans RF BJT NPN 2.6A 4Pin Case M-115射频与微波晶体管航空电子应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 4 - -

封装 M-115 - -

击穿电压(集电极-发射极) 65 V - -

增益 9 dB - -

额定功率(Max) 87.5 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 87500 mW - -

封装 M-115 - -

工作温度 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -

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