LF411CN和LM258D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LF411CN LM258D OPA606KP

描述 低失调,低漂移JFET输入运算放大器 Low Offset, Low Drift JFET Input Operational AmplifierSTMICROELECTRONICS  LM258D  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  OPA606KP  运算放大器, 单路, 13 MHz, 1个放大器, 30 V/µs, ± 5V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 SOIC-8 PDIP-8

工作电压 - - 10V ~ 36V

供电电流 - 700 µA 6.5 mA

电路数 - 2 1

通道数 1 2 1

针脚数 - 8 8

耗散功率 0.67 W 500 mW 500 mW

共模抑制比 70 dB 70 dB 80dB ~ 90dB

输入补偿漂移 - - 3.00 µV/K

带宽 - 1.1 MHz 13 MHz

转换速率 - 600 mV/μs 30.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz 1.1 MHz 12 MHz

输入补偿电压 2 mV 1 mV 300 µV

输入偏置电流 0.2 nA 20 nA 8 pA

工作温度(Max) - 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 1.1 MHz 12 MHz

耗散功率(Max) - - 500 mW

共模抑制比(Min) - 70 dB 78 dB

电源电压(Max) 36 V 30 V -

电源电压(Min) 10 V 3 V -

电源电压(DC) - 32.0 V -

输出电流 - 40 mA -

电源电压 - 3V ~ 30V -

长度 - 4.9 mm 9.81 mm

宽度 - 4 mm 6.35 mm

高度 - 1.25 mm 4.57 mm

封装 PDIP-8 SOIC-8 PDIP-8

工作温度 - -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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