对比图
型号 IRF1310NS IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSPBF
描述 D2PAK N-CH 100V 42AN 沟道 100 V 160 W 110 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAKN 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 42.0 A - -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.80 W 3.8 W 160 W
产品系列 IRF1310NS - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 42.0 A 42A 42A
上升时间 56 ns 56 ns 56 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)
下降时间 40 ns 40 ns 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 160W (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc)
额定功率 - - 3.8 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.036 Ω 0.036 Ω
阈值电压 - 4 V 4 V
额定功率(Max) - 3.8 W 3.8 W
输入电容 - 1900 pF -
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 6.5 mm 10.67 mm
宽度 - 6.22 mm 9.65 mm
高度 - 2.3 mm 4.83 mm
材质 Silicon - -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17