对比图
型号 2N2906AL JANTX2N2906A JAN2N2906A
描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-18-3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 - 500 mW 500 mW
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V
额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW
工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW
封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-18-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk Bag
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -