AD8620BR和AD8620BRZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8620BR AD8620BRZ TLE2082AIDR

描述 精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational AmplifierJFET 输入运算放大器Analog Devices JFET 输入运算放大器提供高输入阻抗和超低输入偏置电流。 许多这些 JFET 运算放大器适用于低噪声和高速应用。### 运算放大器,Analog Devices神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

供电电流 - 3 mA 3.1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 -

共模抑制比 - 110 dB 70 dB

输入电容 - 15.0 pF -

带宽 - 25 MHz 9.40 MHz

转换速率 60.0 V/μs 60.0 V/μs 40.0 V/μs

增益频宽积 25 MHz 25 MHz 10 MHz

输入阻抗 - 1.00 TΩ -

输入补偿电压 - 45 µV 700 µV

输入偏置电流 - 3 pA 20 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 25 MHz 10 MHz

共模抑制比(Min) 90 dB 90 dB 70 dB

电源电压(Max) - 13 V -

电源电压(Min) - 5 V -

输出电流 - - ≤80 mA

耗散功率 - - 0.725 W

输入补偿漂移 - - 2.40 µV/K

耗散功率(Max) - - 725 mW

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

军工级 - No -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 NLR - -

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