IRFZ48N和IRFZ48NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ48N IRFZ48NPBF

描述 Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeINFINEON  IRFZ48NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V -

额定电流 64.0 A -

漏源极电阻 14.0 mΩ 0.014 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 94.0 W 130 W

产品系列 IRFZ48N -

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 55 V

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 64.0 A 64A

上升时间 78 ns 78 ns

输入电容(Ciss) 1970pF @25V(Vds) 1970pF @25V(Vds)

下降时间 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 130000 mW 130W (Tc)

额定功率 - 94 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 1970 pF

额定功率(Max) - 130 W

封装 TO-220 TO-220-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 4.69 mm

高度 - 8.77 mm

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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