JANS1N6119A和JANTXV1N6119A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS1N6119A JANTXV1N6119A 1N6119A

描述 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORSTrans Voltage Suppressor Diode, 500W, 27V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,Diode TVS Single Bi-Dir 27.4V 500W 2Pin

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor Semtech Corporation

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 Case E - SMT

击穿电压 - - 34.2 V

耗散功率 - - 500 W

钳位电压 49.9 V 49.9 V 49.9 V

测试电流 30 mA 30 mA 30 mA

脉冲峰值功率 500 W 500 W 500 W

击穿电压 - - 34.2 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温 - - -65℃ ~ 175℃

封装 Case E - SMT

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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