S34ML01G200BHI000和S34ML01G200BHI003

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S34ML01G200BHI000 S34ML01G200BHI003 S34ML01G200TFI000

描述 S34ML01G2 系列 1 Gb (128M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - BGA-63SLC NAND Flash Parallel 3V 1G-bit 128M x 8Bit 63Pin BGA T/RS34ML01G2 系列 1 Gb (128M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 Flash芯片存储芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 63 63 48

封装 BGA-63 BGA-63 TSOP-48

电源电压(DC) 2.70V (min) - 2.70V (min)

位数 8 8 8

存取时间 25 ns - 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.3 V - 3.3 V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V

供电电流 - - 30 mA

针脚数 - - 48

内存容量 - - 128000000 B

封装 BGA-63 BGA-63 TSOP-48

长度 - - 18.5 mm

宽度 - - 12.1 mm

高度 - - 1.05 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - 3A991.b.1.a

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