对比图
型号 IRF6636 IRF6636TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 20V 18AINFINEON IRF6636TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 20 V, 0.0032 ohm, 10 V, 2.45 V 新
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 DirectFET-ST Direct-FET
引脚数 - 7
通道数 1 -
漏源极电阻 3.2 mΩ 0.0032 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 2.2 W 42 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
漏源击穿电压 20 V -
连续漏极电流(Ids) 18A 18A
上升时间 19 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 2420pF @10V(Vds) 2420pF @10V(Vds)
下降时间 6.2 ns 6.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
额定功率 - 42 W
针脚数 - 7
阈值电压 - 2.45 V
额定功率(Max) - 2.2 W
长度 4.85 mm 4.85 mm
宽度 3.95 mm 3.95 mm
高度 0.7 mm 0.7 mm
封装 DirectFET-ST Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅
REACH SVHC版本 - 2015/12/17