IXTA152N085T7和IXTP152N085T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA152N085T7 IXTP152N085T IXTQ152N085T

描述 D2PAK N-CH 85V 152ATO-220 N-CH 85V 152ATO-3P N-CH 85V 152A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-7 TO-220-3 TO-3-3

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 360 W 360W (Tc) 360 W

漏源极电压(Vds) 85 V 85 V 85 V

连续漏极电流(Ids) 152A 152A 152A

上升时间 50 ns - 50 ns

输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 W - -

下降时间 45 ns - 45 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

漏源极电阻 - 7.00 mΩ -

长度 10.2 mm - 15.8 mm

宽度 9.4 mm - 4.9 mm

高度 4.7 mm - 20.3 mm

封装 TO-263-7 TO-220-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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