FS70UM-2和FS70UM-2-A8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FS70UM-2 FS70UM-2-A8 IXTP75N10P

描述 高速开关用N沟道功率MOS FET High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET高速开关用N沟道功率MOS FET High-Speed Switching Use Nch Power MOS FETIXYS SEMICONDUCTOR  IXTP75N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.025 Ω

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - - 360 W

阈值电压 - - 5.5 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 70.0 A 70A 75.0 A

上升时间 175 ns - 53 ns

输入电容(Ciss) - - 2250pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 360 W

下降时间 - - 45 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 360000 mW

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 70.0 A - -

高度 - - 9.15 mm

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended Active

包装方式 Bulk - Tube

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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