BSO4804和IRF7101TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO4804 IRF7101TRPBF NTMD4N03R2G

描述 的OptiMOS小信号三极管 OptiMOS Small-Signal-TransistorN 沟道 20 V 2 W 15 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8N 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 8.00 A - 4.00 A

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.1 Ω 0.048 Ω

极性 N-CH Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2 W 2 W

阈值电压 - 3 V 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 8A 3.5A 4.00 A, 4.00 mA

上升时间 27 ns 10 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 320pF @15V(Vds) 400pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 24 ns 30 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2 W

额定功率 - 2 W -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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