BCV29,115和BCV29E6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCV29,115 BCV29E6327HTSA1 BCV29TA

描述 SOT-89 NPN 30V 0.5ASOT-89 NPN 30V 0.5ATrans Darlington NPN 30V 0.5A 1000mW 4Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 -

封装 SOT-89-3 SOT-89 SOT-89-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.3 W 1000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 20000 @100mA, 5V 20000 @100mA, 5V -

额定功率(Max) 1.3 W 1 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

增益带宽 220 MHz 150 MHz -

耗散功率(Max) 1300 mW 1000 mW 1 W

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 500 mA

直流电流增益(hFE) 20000 - -

封装 SOT-89-3 SOT-89 SOT-89-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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