JAN1N4101-1和JANTX1N4101

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4101-1 JANTX1N4101 1N4101-TP

描述 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESZener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-7DO-35 8.2V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 2 - -

封装 DO-35-2 - DO-35

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

测试电流 0.25 mA - -

稳压值 8.2 V - 8.2 V

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率 - - 500 mW

长度 5.08 mm - -

封装 DO-35-2 - DO-35

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete End of Life

包装方式 Bag - -

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead free

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