BUK7207-30B和BUK9207-30B,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7207-30B BUK9207-30B,118 BUK9207-30B

描述 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FETN沟道 VDS=30V VGS=±15V ID=75A P=167W的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

耗散功率 - 167W (Tc) -

输入电容 - 2573 pF -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

上升时间 - 82 ns -

输入电容(Ciss) - 3430pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 167 W -

下降时间 - 107 ns -

工作温度(Max) - 185 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 167W (Tc) -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

工作温度 - -55℃ ~ 185℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

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