VI40100G-E3/4W和VI40100G-M3/4W

对比图

型号 VI40100G-E3/4W VI40100G-M3/4W VI40100GHM3/4W

描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.42 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 ADiode Schottky 100V 40A 3Pin(3+Tab) TO-262AA TubeDiode Schottky 100V 40A 3Pin(3+Tab) TO-262AA Tube

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列TVS二极管功率二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

正向电压 810mV @20A 810mV @20A 810mV @20A

正向电压(Max) 810mV @20A - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -