UN111E和UNR111E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UN111E UNR111E RN2009

描述 PNP硅外延平面晶体管 Silicon PNP epitaxial planer transistorPNP硅外延平面晶体管 Silicon PNP epitaxial planer transistorTO-92 PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) Panasonic (松下) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - M-A1 TO-92

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 100mA 100mA

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -100 mA -

封装 - M-A1 TO-92

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

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