对比图
型号 IXFH120N15P IXFT120N15P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH120N15P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 5 VTO-268 N-CH 150V 120A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3
通道数 1 1
漏源极电阻 0.016 Ω 16 mΩ
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 600 W 600 W
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
漏源击穿电压 - 150 V
连续漏极电流(Ids) 120 A 120A
上升时间 42 ns 42 ns
输入电容(Ciss) 4900pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)
下降时间 26 ns 26 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 600000 mW 600W (Tc)
针脚数 3 -
阈值电压 5 V -
长度 16.26 mm 16.05 mm
宽度 5.3 mm 14 mm
高度 21.46 mm 5.1 mm
封装 TO-247-3 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -