BC639-16ZL1和BC63916_D27Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC639-16ZL1 BC63916_D27Z BC63916_D74Z

描述 TO-92 NPN 80V 1ATrans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3Pin TO-92 T/RTrans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-92 Ammo

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-92-3 TO-92 TO-226-3

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 1.00 A - 1.00 A

极性 NPN - NPN

耗散功率 - 1 W 1000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V

集电极最大允许电流 1A - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V - 100 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - - 160

额定功率(Max) 625 mW - 1 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 1000 mW 1000 mW

频率 - 100 MHz -

高度 - 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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