对比图
型号 JANSH2N7262 JANSR2N7262
描述 TO-39 N-CH 200V 5.5APower Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole -
封装 TO-39 TO-205
引脚数 - 3
极性 N-CH -
漏源极电压(Vds) 200 V -
连续漏极电流(Ids) 5.5A -
上升时间 40 ns -
下降时间 45 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 25000 mW
输入电容(Ciss) - 1100pF @25V(Vds)
封装 TO-39 TO-205
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant