5962-3829406MXA和IDT7164L70DB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 5962-3829406MXA IDT7164L70DB IDT7164S70DB

描述 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28CMOS静态RAM 64K ( 8K ×8位) CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)CMOS静态RAM 64K ( 8K ×8位) CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 CDIP DIP CDIP

引脚数 28 - -

封装 CDIP DIP CDIP

长度 37.2 mm - -

宽度 15.2 mm - -

厚度 1.65 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

ECCN代码 3A001.a.2.c 3A001 3A001

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ (TA) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

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