71T75802S166PFGI和IS61NLP102418-200TQLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71T75802S166PFGI IS61NLP102418-200TQLI IDT71T75802S150PFI

描述 静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18MSRAM Chip Sync Dual 3.3V 18M-bit 1M x 18 3.1ns 100Pin TQFP512K ×36 , 1M ×18 2.5V同步ZBT⑩ SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 100 100 -

封装 TQFP-100 TQFP-100 LQFP-100

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.47 V (max) -

时钟频率 - 200MHz (max) -

位数 - 18 -

存取时间 3.5 ns 3.1 ns -

存取时间(Max) - 3.1 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.375V ~ 2.625V 3.135V ~ 3.465V 2.375V ~ 2.625V

电源电压(Max) - 3.465 V -

电源电压(Min) - 3.135 V -

高度 1.4 mm 1.45 mm -

封装 TQFP-100 TQFP-100 LQFP-100

长度 20 mm - -

宽度 14 mm - -

厚度 1.40 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube, Rail Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

ECCN代码 - - 3A991

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司