BQ4013YMA-85和DS1245Y-85+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4013YMA-85 DS1245Y-85+ DS1245AB-85+

描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-85+  芯片, 存储器, NVRAMIC NVSRAM 1024Kbit 85NS 32DIP

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 -

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) -

针脚数 - 32 -

时钟频率 85.0 GHz 85.0 GHz -

存取时间 85.0 ns 85 ns 85 ns

内存容量 1000000 B 125000 B -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

工作电压 - - 5 V

供电电流 50 mA - -

存取时间(Max) 85 ns - -

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tray Each -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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