FR15和IXFR10N100Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FR15 IXFR10N100Q IXFR10N100F

描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PINTrans MOSFET N-CH 1kV 9A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-247-3 -

通道数 - 1 -

耗散功率 - 250W (Tc) -

漏源极电压(Vds) - 1000 V -

输入电容(Ciss) - 2900pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 250W (Tc) -

宽度 - 5.21 mm -

封装 - TO-247-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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