APT6011LVR和APT6011LVRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6011LVR APT6011LVRG APT6011LVFR

描述 TO-264 N-CH 600V 49ATO-264 N-CH 600V 49APower Field-Effect Transistor, 49A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-264 TO-264 TO-264

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 49.0 A -

极性 N-CH N-CH -

输入电容 - 8.90 nF -

栅电荷 - 450 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 49A 49.0 A -

上升时间 - 16 ns -

输入电容(Ciss) - 8900pF @25V(Vds) -

下降时间 - 6 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 625000 mW -

封装 TO-264 TO-264 TO-264

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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