对比图
型号 IRF1405 IRF1405PBF AUIRF1405
描述 TO-220AB N-CH 55V 169AINFINEON IRF1405PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 169 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 VN 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 200 W 120 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 4.60 mΩ 0.0053 Ω 0.0046 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 200 W 330 W 330 W
阈值电压 - 4 V 2 V
输入电容 - 5480 pF -
漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55.0V (min) 55 V -
连续漏极电流(Ids) 169 A 169A 169A
上升时间 190 ns 190 ns 190 ns
输入电容(Ciss) - 5480pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 330 W -
下降时间 110 ns 110 ns 110 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 330W (Tc) 330W (Tc)
通道数 - - 1
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 169 A - -
产品系列 IRF1405 - -
长度 - 10.67 mm 10.66 mm
高度 - 8.77 mm 16.51 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - - 4.82 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -