BZT03C36-TAP和BZX85C36 R0

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT03C36-TAP BZX85C36 R0

描述 齐纳二极管 1.3W,BZT03 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor1.3W,BZX85C 系列,Taiwan Semiconductor齐纳电压容差为 5% 密封玻璃 ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 2

封装 SOD-57 DO-41

耗散功率 3.25 W 1300 mW

测试电流 10 mA 8 mA

稳压值 36 V 36 V

额定功率(Max) 1.3 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1300 mW 1.3 W

长度 4 mm 4.25 mm

宽度 3.6 mm -

高度 3.6 mm -

封装 SOD-57 DO-41

最小包装 5000 -

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 - Lead Free

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