对比图
型号 BSP372NH6327 STN2NF10 BSP372L6327
描述 100V,1.8A,N沟道小信号MOSFETSTMICROELECTRONICS STN2NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 VINFINEON BSP372L6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 0.24 ohm, 5 V, 1.9 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 4 3
封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223
长度 - 6.5 mm -
宽度 - 3.5 mm -
高度 - 1.8 mm -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 2.00 A 1.70 A
针脚数 - 4 3
漏源极电阻 - 0.23 Ω 0.24 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 3.3 W 1.8 W
阈值电压 - 4 V 1.9 V
输入电容 - - 520 pF
漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 2.00 A 1.70 A
输入电容(Ciss) - 280pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.3 W 1.8 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 10 ns -
下降时间 - 3 ns -
耗散功率(Max) - 3.3W (Tc) -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - EAR99 -