TPS1101PWR和TPS1101PWRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS1101PWR TPS1101PWRG4 TPS1101PW

描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 16 - -

封装 TSSOP-16 TSSOP-16 -

额定电压(DC) -15.0 V - -

额定电流 -2.18 A - -

极性 P-Channel P-CH -

耗散功率 0.71 W - -

漏源极电压(Vds) 15 V 15 V -

连续漏极电流(Ids) 2.18 A 2.18A -

上升时间 5.5 ns - -

额定功率(Max) 710 mW - -

下降时间 13 ns - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

耗散功率(Max) 710mW (Ta) - -

封装 TSSOP-16 TSSOP-16 -

材质 Silicon - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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