对比图
描述 N沟道uTrenchMOS标准水平FET N-channel UTrenchMOS standard level FETN 通道 MOSFET，高达 0.9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SC-75 SOT-416-3
漏源极电阻 - 0.78 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 - 530 mW
阈值电压 - 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 0.55A 550 mA
上升时间 - 4 ns
输入电容(Ciss) - 23pF @30V(Vds)
额定功率(Max) - 530 mW
下降时间 - 2.2 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 530mW (Tc)
长度 - 1.8 mm
宽度 - 0.9 mm
高度 - 0.85 mm
封装 SC-75 SOT-416-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17