PMR780SN和PMR780SN,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMR780SN PMR780SN,115

描述 N沟道uTrenchMOS标准水平FET N-channel UTrenchMOS standard level FETN 通道 MOSFET,高达 0.9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SC-75 SOT-416-3

漏源极电阻 - 0.78 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 530 mW

阈值电压 - 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.55A 550 mA

上升时间 - 4 ns

输入电容(Ciss) - 23pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - 530 mW

下降时间 - 2.2 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 530mW (Tc)

长度 - 1.8 mm

宽度 - 0.9 mm

高度 - 0.85 mm

封装 SC-75 SOT-416-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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