TLV27L1CD和TLV27L1IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV27L1CD TLV27L1IDR TLV27L1CDG4

描述 系列微功耗轨到轨输出运算放大器 FAMILY OF MICROPOWER RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLV27L1IDR  运算放大器, 单路, 160 kHz, 1个放大器, 0.06 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚Op Amp Single GP R-R O/P ±8V/16V 8Pin SOIC Tube

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 7 µA 7 µA 7 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.71 W 710 mW 0.71 W

共模抑制比 71 dB 71 dB 71 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.10 µV/K

带宽 160 kHz 160 kHz 160 kHz

转换速率 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs

增益频宽积 160 kHz 0.16 MHz 160 kHz

输入补偿电压 500 µV 5 mV 500 µV

输入偏置电流 1 pA 0.06 nA 1 pA

增益带宽 0.16 MHz 0.16 MHz -

耗散功率(Max) 710 mW 710 mW -

共模抑制比(Min) 71 dB 71 dB -

输出电流 - 0.4mA @2.7V -

针脚数 - 8 -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压(Max) - 16 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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