1N3009RB和JAN1N3009B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3009RB JAN1N3009B 1N3009ACOX.160

描述 Zener Diode,10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODESZener Diode, 130V V(Z), 10%, Silicon, Unidirectional,

数据手册 ---

制造商 Solid State Devices Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

引脚数 - 2 -

封装 - DO-4 -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.5V @2A -

耗散功率 - 10 W -

测试电流 - 19 mA -

稳压值 - 130 V -

额定功率(Max) - 10 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 - DO-4 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

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