TS507CD和TS507CDT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TS507CD TS507CDT ISL55190IBZ

描述 高精密轨至轨运算放大器 High precision rail-to-rail operational amplifier高精密轨至轨运算放大器 High precision rail-to-rail operational amplifier单路和双路超低噪音,超低失真,低功耗运算放大器 Single and Dual Ultra-Low Noise, Ultra-Low Distortion, Low Power Op Amp

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Intersil (英特矽尔)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SO-8 SO-8 SOIC-8

电源电压(DC) 6.00 V - -

供电电流 850 µA 850 µA 30 mA

电路数 1 1 1

转换速率 600 mV/μs - -

增益频宽积 1.9 MHz 1.9 MHz 800 MHz

输入补偿电压 25 µV 25 µV 300 µV

输入偏置电流 8 nA 8 nA 25 µA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

共模抑制比(Min) 94 dB 94 dB -

通道数 - - 1

过温保护 - - No

增益带宽 - 1.9 MHz 800 MHz

输出电流 - 128 mA -

共模抑制比 - 94 dB -

电源电压 - 2.7V ~ 5.5V -

封装 SO-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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