STP200NF03和PSMN3R4-30PL,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP200NF03 PSMN3R4-30PL,127 IRF2903Z

描述 N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3Pin(3+Tab) TO-220AB T/RTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3Pin (3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 120 A - -

漏源极电阻 0.0032 Ω - -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 300 W 114 W -

阈值电压 4 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 60.0 A - -

上升时间 195 ns 73 ns -

输入电容(Ciss) 4950pF @25V(Vds) 3907pF @12V(Vds) -

额定功率(Max) 300 W 114 W -

下降时间 60 ns 28 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 300000 mW 114W (Tc) -

通道数 - 1 -

产品系列 - - IRF2903Z

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 9.15 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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