对比图
型号 FDB8443 SI7456DP-T1
描述 N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETN-channel 100V (d-s) Mosfet
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount -
封装 TO-263-3 -
引脚数 - -
极性 N-CH -
耗散功率 188 W -
漏源极电压(Vds) 40 V -
连续漏极电流(Ids) 25A -
输入电容(Ciss) 9310pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 188 W -
耗散功率(Max) 188W (Tc) -
上升时间 - -
下降时间 - -
工作温度(Max) - -
工作温度(Min) - -
封装 TO-263-3 -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
材质 - -
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free -