1N5535CE3和JANTXV1N5535C-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5535CE3 JANTXV1N5535C-1 1N5535

描述 DO-35 15V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW15V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 15 V 15 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率 500 mW - -

封装 DO-35 DO-204AH -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -

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