对比图
型号 IXTP2N65X2 SPP02N60C3HKSA1
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备INFINEON SPP02N60C3HKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 650 V
额定电流 - 1.80 A
针脚数 3 3
漏源极电阻 2.3 Ω 2.7 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 55 W 25 W
阈值电压 5 V 3 V
输入电容 - 200 pF
栅电荷 - 12.5 nC
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 2A 1.80 A
上升时间 19 ns 3 ns
输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 55W (Tc) 25W (Tc)
漏源击穿电压 650 V -
长度 10.3 mm 10 mm
宽度 15.9 mm 4.4 mm
高度 4.7 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17