SI4936ADY-E3和SI4936ADY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4936ADY-E3 SI4936ADY-T1-GE3 SI4936ADY-T1-E3

描述 MOSFET 30V 5.9A 2WTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8Pin SOIC N T/RMOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.032Ω; ID 4.4A; SO-8; PD 1.1W; VGS +/-20

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 - - 0.053 Ω

耗散功率 - - 1.1 W

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

额定功率(Max) - 1.1 W 1.1 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 4.9 mm - 5 mm

高度 1.75 mm - 1.55 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 3.9 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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