对比图
型号 NTE360 SD1224
描述 Trans RF BJT NPN 35V 5A 60000mW 4Pin射频与微波晶体管 RF & MICROWAVE TRANSISTORS
数据手册 --
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美)
分类 分立器件双极性晶体管
引脚数 4 4
耗散功率 60000 mW 60 W
输出功率 40 W -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW
频率 - 175 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - 35 V
增益 - 7.6 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @500mA, 5V
额定功率(Max) - 60 W
高度 19.05 mm 19.05 mm
材质 Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 EAR99 -
HTS代码 85412900951 -