对比图
型号 IPB019N06L3GATMA1 IPB021N06N3G IRFS3306TRLPBF
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB019N06L3GATMA1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装的OptiMOS ™ 3供电晶体管特点非常适合高频率切换和同步。 REC 。 OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.INFINEON IRFS3306TRLPBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, HEXFET, 60V, 120A, D2PAK
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0016 Ω - 0.0033 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 250 W - 230 W
阈值电压 1.7 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 120A - 160A
上升时间 79 ns - 46 ns
输入电容(Ciss) 21000pF @30V(Vds) - 4520pF @50V(Vds)
下降时间 38 ns - 77 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 250000 mW - 230W (Tc)
额定功率 250 W - -
长度 10.31 mm - 10.67 mm
宽度 9.45 mm - 9.65 mm
高度 4.57 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3
材质 - - Silicon
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -