CY14B104NA-BA25I和CY14B104NA-BA25XI

对比图

型号 CY14B104NA-BA25I CY14B104NA-BA25XI CY14B104NA-BA25IT

描述 4兆位（ 512K的X二百五十六分之八的K× 16 ）的nvSRAM为20 ns ， 25 ns的，和45 ns访问时间 4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access timesCY14B104 系列 4 Mb (256 kb x 16) 2.7 - 3.6 V MVSRAM - FBGA-484兆位（ 512 K A ?? 256分之8 K A ？ 16 ）的nvSRAM 4-Mbit (512 K × 8/256 K × 16) nvSRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

引脚数 48 48 48

封装 FBGA-48 FBGA-48 FBGA-48

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

存取时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

供电电流 70 mA 70 mA -

耗散功率 - 1 W -

存取时间 - 25 ns -

电源电压 3 V 2.7V ~ 3.6V -

封装 FBGA-48 FBGA-48 FBGA-48

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -