对比图
型号 IRL530NPBF IRL530PBF IRL530N
描述 INFINEON IRL530NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 100 mohm, 10 V, 2 VN 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorTO-220AB N-CH 100V 17A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.1 Ω 0.16 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 79 W 79 W 79.0 W
阈值电压 2 V 2 V -
输入电容 800 pF 930pF @25V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 17A 15.0 A 17.0 A
上升时间 53 ns 100 ns 53 ns
输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
下降时间 26 ns 48 ns 26 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 79W (Tc) 88 W 79000 mW
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 17.0 A
产品系列 - - IRL530N
漏源击穿电压 100 V - 100V (min)
额定功率 79 W - -
通道数 1 - -
额定功率(Max) 79 W - -
长度 10.54 mm 10.41 mm -
宽度 4.69 mm 4.7 mm -
高度 8.77 mm 9.01 mm -
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
材质 - - Silicon
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 Active - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -