对比图
型号 AUIRS2301STR IRS2004STRPBF AUIRS2301S
描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 130ns, 50ns 70ns, 35ns 130ns, 50ns
输出接口数 2 2 2
输出电流 - 290 mA 200 mA
耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW
上升时间 130 ns 170 ns 220 ns
下降时间 50 ns 90 ns 80 ns
下降时间(Max) 80 ns 90 ns 80 ns
上升时间(Max) 220 ns 170 ns 220 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
电源电压 5V ~ 20V 10V ~ 20V 5V ~ 20V
电源电压(DC) - 10.0V (min) -
针脚数 8 8 -
静态电流 160 µA 270 µA -
输入偏置电流 - 10 µA -
电源电压(Max) 20 V 20 V -
电源电压(Min) 5 V 10 V -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -